Aplicarea tijei PEEK

1, inel punct de sprijin
Inelul punct de sprijin este adesea asortat cu inelul O sau inelul de etanșare pentru presiune ridicată în mediu natural. Inelul punct de susținere TECAARUNCA O PRIVIREare rezistență ridicată la tracțiune și rezistență la căldură. Combinând temperatura de aplicare, rezistența la acid și ameliorarea oboselii. Când valoarea presiunii de lucru atinge punctul limită zero, este posibil ca inelul O să fie invalid. Aplicarea inelului punct de susținere ca o asigurare comercială suplimentară poate preveni deteriorarea inelului O și promovarea acestuia După consolidarea structurii, rezistența la compresiune a inelului este mai mare și mai puternică.

2, inel de etanșare
Arunca o priviresigiliile sunt utilizate în mod obișnuit în medii naturale, cum ar fi lichid și gaz, pentru a evita scurgerile.ARUNCA O PRIVIREgarniturile sunt utilizate într-o varietate de aplicații și industrii diferite, cum ar fi supapele de poartă, compresoarele de refrigerare, ambalatoarele și dispozitivele de prevenire a exploziei. TermosetareARUNCA O PRIVIREplastic cu performanțe excelente, datorită caracteristicilor sale excelente, cum ar fi rezistența la căldură, proprietățile fizice excelente, rezistența excelentă la acid și rezistența și rezistența la compresiune, este potrivit în special pentru acest tip de aplicare de etanșare.

3. Supapă de poartă de înaltă presiune (scaun curbat)

Gate Valve High-pressure gate valves are commonly used in natural environments that manipulate the fluidity of liquids, so that liquids can flow at will, and have the ability to stop or avoid liquid fluidity. TECAARUNCA O PRIVIREraw materials are high-grade raw materials used in high-pressure gate valves because of their excellent acid resistance and thermal properties, and they are very common. Although this high-temperature plastic must be exposed to the natural environment of boiling water and hot steam for a long time, it still has patience, and its bending stiffness improves the torque requirement of the gate valve.